Перевод: с английского на русский

с русского на английский

ёмкость "затвор-сток"

  • 1 gate-drain capacitance

    English-Russian electronics dictionary > gate-drain capacitance

  • 2 gate-drain capacitance

    The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > gate-drain capacitance

  • 3 gate-drain capacitance

    1. емкость затвор-сток
    2. ёмкость затвор - сток (полевого транзистора)

     

    емкость затвор-сток
    Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
    Обозначение
    Cзсо
    Cgdo
    [ ГОСТ 19095-73

    Тематики

    EN

    DE

    FR

     

    ёмкость затвор - сток (полевого транзистора)

    [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

    Тематики

    • электротехника, основные понятия

    EN

    Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > gate-drain capacitance

  • 4 gate-drain capacitance

    Универсальный англо-русский словарь > gate-drain capacitance

  • 5 drain-gate capacitance

    Универсальный англо-русский словарь > drain-gate capacitance

  • 6 DGC

    1. digital graphics controller - цифровое устройство управления графопостроителем;
    2. drain-gate capacitance - ёмкость "сток-затвор"

    Англо-русский словарь технических аббревиатур > DGC

  • 7 полевой транзистор

      FET
     (Field Effect Transistor)
     Полевой транзистор (ПТ)
      Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
     
     Устройство полевого транзистора

    Англо-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор

  • 8 FET

      FET
     (Field Effect Transistor)
     Полевой транзистор (ПТ)
      Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.
     
     Устройство полевого транзистора

    Англо-русский словарь по нанотехнологиям > FET

См. также в других словарях:

  • ёмкость затвор - сток (полевого транзистора) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN gate drain capacitance …   Справочник технического переводчика

  • Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН)  базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… …   Википедия

  • СЭСППЗУ — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory)  разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… …   Википедия

  • Флеш память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory)  разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… …   Википедия

  • Флэш-диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory)  разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… …   Википедия

  • Флэш-карты — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory)  разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… …   Википедия

  • Флэш диск — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory)  разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… …   Википедия

  • Флэш-карта — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory)  разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… …   Википедия

  • Флэш-память — Сюда перенаправляется запрос Флэш карты. На тему «Флэш карты» нужна отдельная статья. USB накопитель на флеш‐памяти Флеш‐память (англ. Flash Memory)  разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. Она… …   Википедия

  • S.T.A.L.K.E.R.: Oblivion Lost — S.T.A.L.K.E.R. Обложка S.T.A.L.K.E.R.: Тень Чернобыля Разработчик GSC Game World Издатели …   Википедия

  • S.T.A.L.K.E.R.: The Shadow Of Chernobyl — S.T.A.L.K.E.R. Обложка S.T.A.L.K.E.R.: Тень Чернобыля Разработчик GSC Game World Издатели …   Википедия

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»